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LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長。
專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現SiC片高溫環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節，加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度。
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長
? 本設備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長
? 籽晶的粘接工藝技術是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨紙上，提高籽晶粘接質量是保證高品質SiC晶體生長的首要前提。
? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設備裝片量大，特別適用于工業化生產