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山東力冠微電子裝備

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MPCVD

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MPCVD設備

? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜

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SiC高溫氧化設備

專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現SiC片高溫環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節，加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度。

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MPCVD設備

? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜

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